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參加第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料會議
發(fā)布時間：
2018-07-27
概要：
2018年7月9號參加了在北京舉辦的第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料會議，本次會議由中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中科院物理所和北京硅酸鹽學(xué)會發(fā)起并主辦第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議,此次會議主要圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流。
本次會議涉及的報告內(nèi)容較多、領(lǐng)域較廣，為了掌握本專業(yè)的知識，同時了解客戶端的需要有針對地聆聽以下主要報告:
1、寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體晶體研究及產(chǎn)業(yè)化------陳小龍
2、SiC器件在軌道交通中的應(yīng)用前景------劉國友
3、X射線在碳化硅晶體檢測中的實際應(yīng)用------甄 偉
4、4H-SiC中三角形缺陷結(jié)構(gòu)及成因研究進(jìn)展-----孫國勝
5、4H-SiC功率DMOSFETS的進(jìn)展------柏松
6、降低4H-SiC外延層中的形態(tài)缺陷-------李忠輝
7、SiC器件在未來電網(wǎng)中的應(yīng)用--------邱宇峰
8、SiC電力半導(dǎo)體器件在電動汽車上的應(yīng)用-------濱田公守
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